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中频溅射镀膜的注意事项
发布时间:2018-09-10 17:43
中频溅射也是磁控溅射的一种,一般磁控溅射靶的设计,磁场的设计是各家技术的重点,国际几个有名的溅射靶制造商,对靶磁场的设计相当专业,改变磁场设计能得到不相同的等离子体蒸发量.电子的路径,等离子体的分布,所以溅射靶磁场是各家的技术机密.真空炉
关于阴极弧(也就是离子镀),磁控溅射,以及坩埚蒸发都属于PVD(物理气相沉积),坩埚蒸发主要是相变,蒸发靶材只有几个电子伏特的能量。所以膜附着力小,但沉积率高,多用于光学镀膜。磁控溅射中氩离子冲击靶材使靶材原子和分子碎片沉积在零件,靶材材料动能可达数百甚至上千电子伏特能量。是真正的中性的纳米级镀膜。阴极弧起弧后一方面靶面高温将材料冶金融化,强大电场然后将融化材料几乎完全离子化,在靶电源和零件偏压综合作用下成膜。看起来阴极弧镀较先进,其实不然。首先靶面溶化过程很随机不可控制,离子成团镀到零件。镀件均匀性和光滑性难以保证。通俗点讲阴极弧镀是真空下的焊接过程,阴极弧电源和焊接电源原理上很近似。阴极弧技术主要源于前苏联,在我国因种种原因较普及,电源简单是很大一个因素。但技术不断进步,启动柜。近年过滤阴极弧技术发展较快,避免了成膜不均匀的缺点,但有所得必有所失,过滤使沉积率减小而设备成本增高。
国际上最近有一些趋势值得注意,一是非平衡磁控溅射方法在大型镀膜设备公司,特别是欧洲的公司有较快发展并开始大规模工业应用;另一个是美国的一些公司,在脉冲反应磁控溅射上有很大进展。其所镀氧化和氮化膜沉积速率几乎达到金属速率。真空炉
中频磁控溅射对靶和磁场的设计以及工作气压要求很高,中频磁控溅射是直流磁控溅射沉积速率的2到3倍。中频磁控溅射是两个靶工作,制备化合物膜层,由于其离化率低很难找到一个最佳的中毒点,对工作气体的流量控制要求很严格。若控制不好则很难制备均匀和结合力好的膜层。再就是磁场的设计主要是磁场分布的均匀性这样既可以提高靶材的利用率,另外对于最佳中毒点工作时的稳定性也有很大提高 磁控溅射的离子能量和绕射性都远低于多弧靶面,与工件的距离是很重要的,太近离子对工件的轰击可以损坏膜层,太远则偏离了最佳溅射距离制备的膜层结合力很差
中频的靶材用的对靶,有的用到三对.靶都是比较大,就中频而言,现在用的多的都是镀一些金属的工件.这样的真空炉一般都做的比较大,可以放下很多任务件,镀出来的膜层也更加的致密.
中频溅射能否在较低的真空度条件下工作?是没有问题的,目前我们的进度是可以在8.0*10-2Pa工作。
中频溅射TiN薄膜颜色的影响因素?偏压对L a b值的影响?
偏压对颜色确实有很密切的关系,真空炉
溅射气压(氩气)对L a b值的影响?
这个问题比较复杂,他跟离化率有关系,跟压强有关系,跟靶距离交连方式有关系,很清晰的数据可能需要相当时间才能系统的整理,溅射气体与颜色应该说是决定于产出的溅射量影响到与反应气体的关系,而对颜色有影响
反应溅射采用氨气是否可行? 是可以的.真空炉